SJ 50033.19-1994 半导体分立器件.2CZ74型硅开关整流二极管详细规范
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ID： |
DACB891AA3A44DBD87C7596340DAF357 |
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文件大小(MB)： |
0.42 |
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页数： |
8 |
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文件格式： |
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日期： |
2024-7-28 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,2CZ74型硅开关整流二极管,详细规范,SJ 50033/19-94,Semiconductor discrete device,Detail specification for silicon swicth-rectifier,diode for type 2cz 74,范围,1-1主题内容,本规范规定了 2CZ74型硅开关整流二极管（以下简称器件）的详细要求,1-2适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1-3分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》1. 3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超,特军三级,分别用守用GP、GT和GCT表东,2引用文件,GB 4023—86,GB 6571—86,GB 7581-87,Cr}B 33一185,GJB 128,86,半导体分立器件第2部分:整流二极管,小功率信号二极管'稳压及填族电压二极管测试オ电,半导体分立器件外形尺寸,半导体分立器件总规范,半导体分立器件试验方法,3要求,3.1详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规能.,3-2设计、结构和外形尺寸,设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本树范图ヒ的规定（见6. 3条）,3.2.1 引出端涂层,中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布199^-12-01 实施,sj 50033/19-94,引出端表面应镀锡,对引出端涂层另有要求时,在合同或订货单中规定（见6.3条兀,3.2.2 器件结构,在芯片的两面和引出端之间采用高温抬金键合结构.,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸应符合GB 758I的C1-O1C型,见图1,1-1 i外形图,、ヽ71式、、7H,符号 ffぐ、f 丒4,C1-O1C,nxin max,ノ12* 70,便20, 06,”)1 16. 94.,関2 9-52,E 17. 0,)■ 2. S3 5.08,J 25丒 40,”/
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